Gerät PVD-Sputter-Cluster for dielectric materials (IMS-01) - PR887139-2380-P

PVD-Sputter-Cluster für dielektrische Materialien (IMS-01) PVD-Sputter-Cluster for dielectric materials 1 Stück PVD-Sputter-Cluster für dielektrische Materialien Quasi-monolithisch integrierte Chiplets (QMI), die vielfältige Funktionen wie Mikroprozessoren, signalverarbeitende Hochgeschwindigkeitsschnittstellen und integrierte Sensoren vereinen, erfordern qualitativ hochwertige optische Schichten. Für eine quasimonolithische Backend-Integration von optischen Chiplets wie Photodetektoren, Lasern, Filtern, Phasenschiebern oder Kopplern wird …

CPV: 42990000 Máquinas diversas para usos especiales
Lugar de ejecución:
Gerät PVD-Sputter-Cluster for dielectric materials (IMS-01) - PR887139-2380-P
Organismo adjudicador:
Fraunhofer-Gesellschaft - Einkauf B12
Número de premio:
PR887139-2380-P

1. Beschaffer

1.1 Beschaffer

Offizielle Bezeichnung : Fraunhofer-Gesellschaft - Einkauf B12
Rechtsform des Erwerbers : Öffentliches Unternehmen
Tätigkeit des öffentlichen Auftraggebers : Allgemeine öffentliche Verwaltung

2. Verfahren

2.1 Verfahren

Titel : Gerät PVD-Sputter-Cluster for dielectric materials (IMS-01) - PR887139-2380-P
Beschreibung : PVD-Sputter-Cluster für dielektrische Materialien (IMS-01)
Kennung des Verfahrens : 399817a2-09de-4cb4-ac57-de536d1782cc
Interne Kennung : PR887139-2380-P
Verfahrensart : Verhandlungsverfahren mit vorheriger Veröffentlichung eines Aufrufs zum Wettbewerb/Verhandlungsverfahren
Das Verfahren wird beschleunigt : nein
Begründung des beschleunigten Verfahrens :
Zentrale Elemente des Verfahrens :

2.1.1 Zweck

Art des Auftrags : Lieferungen
Haupteinstufung ( cpv ): 42990000 Diverse Maschinen und Geräte für besondere Zwecke

2.1.2 Erfüllungsort

Postanschrift : Finkenstraße 61
Stadt : Duisburg
Postleitzahl : 47057
Land, Gliederung (NUTS) : Duisburg, Kreisfreie Stadt ( DEA12 )
Land : Deutschland

2.1.4 Allgemeine Informationen

Rechtsgrundlage :
Richtlinie 2014/24/EU
vgv -

2.1.6 Ausschlussgründe

Der Zahlungsunfähigkeit vergleichbare Lage gemäß nationaler Rechtsvorschriften :
Korruption :
Beteiligung an einer kriminellen Vereinigung :
Vereinbarungen mit anderen Wirtschaftsteilnehmern zur Verzerrung des Wettbewerbs :
Verstoß gegen umweltrechtliche Verpflichtungen :
Geldwäsche oder Terrorismusfinanzierung :
Betrugsbekämpfung :
Kinderarbeit und andere Formen des Menschenhandels :
Zahlungsunfähigkeit :
Verstoß gegen arbeitsrechtliche Verpflichtungen :
Verwaltung der Vermögenswerte durch einen Insolvenzverwalter :
Falsche Angaben, verweigerte Informationen, die nicht in der Lage sind, die erforderlichen Unterlagen vorzulegen, und haben vertrauliche Informationen über dieses Verfahren erhalten. :
Interessenkonflikt aufgrund seiner Teilnahme an dem Vergabeverfahren :
Direkte oder indirekte Beteiligung an der Vorbereitung des Vergabeverfahrens :
Schwere Verfehlung im Rahmen der beruflichen Tätigkeit :
Vorzeitige Beendigung, Schadensersatz oder andere vergleichbare Sanktionen :
Verstoß gegen sozialrechtliche Verpflichtungen :
Zahlung der Sozialversicherungsbeiträge :
Einstellung der gewerblichen Tätigkeit :
Entrichtung von Steuern :
Terroristische Straftaten oder Straftaten im Zusammenhang mit terroristischen Aktivitäten :

5. Los

5.1 Technische ID des Loses : LOT-0000

Titel : Gerät PVD-Sputter-Cluster for dielectric materials (IMS-01) - PR887139-2380-P
Beschreibung : 1 Stück PVD-Sputter-Cluster für dielektrische Materialien Quasi-monolithisch integrierte Chiplets (QMI), die vielfältige Funktionen wie Mikroprozessoren, signalverarbeitende Hochgeschwindigkeitsschnittstellen und integrierte Sensoren vereinen, erfordern qualitativ hochwertige optische Schichten. Für eine quasimonolithische Backend-Integration von optischen Chiplets wie Photodetektoren, Lasern, Filtern, Phasenschiebern oder Kopplern wird eine große Vielfalt an dielektrischen Schichten (wie SiO2, TiO2, Si3N4 oder AlN) benötigt, um alle Anforderungen der endgültigen Chiplet-Technologie zu erfüllen. Um eine gute Gesamtleistung des Chips zu erreichen, ist eine sehr hohe Reinheit des Schichtmaterials sowie eine gute Gleichmäßigkeit der abgeschiedenen Schicht erforderlich. Die Abscheidung dieser Schichten soll durch physikalische Gasphasenabscheidung (PVD) in einem Clustersystem für 200-mm-Wafer erfolgen. Die Konfiguration der Anlage ermöglicht zumindest die Abscheidung der Oxide und Nitride von Aluminium, Silizium und Titan in speziellen Kammermodulen, was für die QMI-Prozesslinie unerlässlich ist. Die Dicken der abgeschiedenen Schichten reichen von einigen nm bis zu 1 µm. Die gewünschte Gleichmäßigkeit der Dicke und der optischen Eigenschaften der abgeschiedenen dielektrischen Schichten sollte nach Möglichkeit 3 % nicht überschreiten. Für fortgeschrittene Anwendungen benötigt das System eine F&E-Kammer für die Abscheidung von transparenten Leitern oder Piezoelektrika. Diese Materialien werden benötigt, um die Funktionalität der zukünftigen Chiplet-Backend-Integration zu erweitern. Die Vermeidung von Kreuzkontaminationen und Verunreinigungen ist entscheidend für die Qualität der optischen Eigenschaften der abgeschiedenen Schichten und damit für die Gesamtleistung des Chips. Die bestehende Ausrüstung am Fraunhofer IMS kann diese Vielfalt an Materialien nicht abdecken. Diese Investition ist eine strategische Erweiterung der bestehenden Anlagen, um quasi monolithisch integrierte optische Schichten auf CMOS-Chips zu ermöglichen, die schließlich mit anderen Chips durch 2,5- und 3D-Integration zusammengefügt werden. Optionen: - Entgasungskammer Waferklemmung - Entgasungskammer Prozesstemperatur °C - Wafer-Oberflächenreinigung mit Ar-Sputter-Ätzung Durchsatz Wafer/h bei 30 nm Abtrag - Reinigen der Waferoberfläche mit Ar-Sputter-Ätzung Wafer-Einspannung - Reinigen der Waferoberfläche mit Ar-Sputter-Ätzen Prozesstemperatur °C @ Ätzzeit 60s - Ti(Titan) Durchsatz Wafer/h @ Dicke 100 nm - Ti(Titan) Abscheiderate nm/min - Ti(Titan) Wafer-Einspannung - Ti(Titan) Prozesstemperatur °C - TiN(Titanium Nitride) Durchsatz Wafer/h @ Dicke 100 nm - TiN(Titanium Nitride) Waferklemmung - TiN(Titannitrid) Prozesstemperatur °C - Si3N4 (Siliziumnitrid) Durchsatz Wafer/h bei einer Dicke von 500 nm - Si3N4 (Siliziumnitrid) Waferaufspannung - Si3N4 (Siliziumnitrid) Prozesstemperatur °C - Si (Silizium) ist optional auf einer Kammer möglich - Al (Aluminium) ist optional auf einer Kammer möglich - AlNx (Aluminiumnitrid) Durchsatz Wafer/h bei 500 nm Dicke - AlNx (Aluminiumnitrid) Waferklemmung - AlNx (Aluminiumnitrid) Prozesstemperatur °C - AlOx (Aluminum Oxid) Durchsatz Wafer/h bei 500 nm Dicke - AlOx (Aluminium Oxid) Wafer-Einspannung - AlOx (Aluminum Oxid) Prozesstemperatur °C - AlxScyNz (Aluminum Scandium Nitride) spezielle Zusammensetzung ist optional auf einer Kammer möglich - TiW (Titanium Tungsten) ist optional auf einer Kammer möglich - AlxScyNz (Aluminium-Scandium-Nitrid) in variabler ZusammensetzungDurchsatz Wafer/h bei 500 nm Dicke - AlxScyNz (Aluminium-Scandium-Nitrid) in variabler Zusammensetzung Waferklemmung - AlxScyNz (Aluminium-Scandium-Nitrid) in variabler Zusammensetzung Prozesstemperatur °C - AlxScyNz (Aluminium-Scandium-Nitrid) in variabler Zusammensetzung Anzahl der Sputterquellen - AlxScyNz (Aluminium-Scandium-Nitrid) in variabler Zusammensetzung Co-Sputtern in variablen Verhältnissen von - ITO (Indium-Zinn-Oxid) ist optional in einer Kammer möglich - ITO (Indium-Zinn-Oxid) Schadensarmer Prozess mit nahezu keinem Ionenbeschuss, der durch die Gestaltung der Sputterquelle versprochen wird - AZO (Aluminiumoxid-dotiertes Zinkoxid) ist optional auf einer Kammer möglich - Sputtern von verschiedenen Metallen (Au, Ag, Pt) in der Multitargetkammer versprochene Prozessfähigkeit - Allgemeine Anforderungen Grundfläche - Konfiguration System Externe Schnittstelle - Software Konfiguration Die Steuerungssoftware muss dem IMS als separate Backup-Datei zur Verfügung gestellt werden. - Softwarekonfiguration Alle Prozessdaten können in einem menschenlesbaren Format (z.B. in csv) exportiert werden. - Systemdokumentation zusätzliche Dokumentationen auf digitalen Medien (PDF's...) wären wünschenswert - Sonstige Spezifikationen und Anforderungen Kostenloser Software-Support im Fehlerfall mindestens 24 Monate nach Ablauf der Garantie.
Interne Kennung : LOT-0000

5.1.1 Zweck

Art des Auftrags : Lieferungen
Haupteinstufung ( cpv ): 42990000 Diverse Maschinen und Geräte für besondere Zwecke

5.1.2 Erfüllungsort

Postanschrift : Finkenstraße 61
Stadt : Duisburg
Postleitzahl : 47057
Land, Gliederung (NUTS) : Duisburg, Kreisfreie Stadt ( DEA12 )
Land : Deutschland
Zusätzliche Informationen :

5.1.3 Geschätzte Dauer

Laufzeit : 9 Monat

5.1.6 Allgemeine Informationen

Vorbehaltene Teilnahme : Teilnahme ist nicht vorbehalten.
Die Namen und beruflichen Qualifikationen des zur Auftragsausführung eingesetzten Personals sind anzugeben : Nicht erforderlich
Auftragsvergabeprojekt nicht aus EU-Mitteln finanziert
Die Beschaffung fällt unter das Übereinkommen über das öffentliche Beschaffungswesen : ja
Diese Auftragsvergabe ist auch für kleine und mittlere Unternehmen (KMU) geeignet : nein

5.1.7 Strategische Auftragsvergabe

Ziel der strategischen Auftragsvergabe : Keine strategische Beschaffung

5.1.9 Eignungskriterien

Kriterium :
Art : Eignung zur Berufsausübung
Anhand der Kriterien werden die Bewerber ausgewählt, die zur zweiten Phase des Verfahrens eingeladen werden sollen
Kriterium :
Art : Wirtschaftliche und finanzielle Leistungsfähigkeit
Anhand der Kriterien werden die Bewerber ausgewählt, die zur zweiten Phase des Verfahrens eingeladen werden sollen
Kriterium :
Art : Technische und berufliche Leistungsfähigkeit
Anhand der Kriterien werden die Bewerber ausgewählt, die zur zweiten Phase des Verfahrens eingeladen werden sollen
Kriterium :
Art : Sonstiges
Beschreibung : Direktlink auf Dokument mit Eignungskriterien (URL): https://vergabe.fraunhofer.de/NetServer/SelectionCriteria/54321-Tender-196154651d5-3e7db778b400a729
Anhand der Kriterien werden die Bewerber ausgewählt, die zur zweiten Phase des Verfahrens eingeladen werden sollen

5.1.10 Zuschlagskriterien

Kriterium :
Art : Qualität
Bezeichnung : Technische Ausführung
Beschreibung : Technische Ausführung
Kategorie des Schwellen-Zuschlagskriteriums : Gewichtung (Prozentanteil, genau)
Zuschlagskriterium — Zahl : 45
Kriterium :
Art : Qualität
Bezeichnung : Nachhaltigkeit
Beschreibung : Nachhaltigkeit
Kategorie des Schwellen-Zuschlagskriteriums : Gewichtung (Prozentanteil, genau)
Zuschlagskriterium — Zahl : 10
Kriterium :
Art : Qualität
Bezeichnung : Lieferzeit
Beschreibung : Lieferzeit
Kategorie des Schwellen-Zuschlagskriteriums : Gewichtung (Prozentanteil, genau)
Zuschlagskriterium — Zahl : 10
Kriterium :
Art : Preis
Bezeichnung : Preis
Beschreibung : Preis
Kategorie des Schwellen-Zuschlagskriteriums : Gewichtung (Prozentanteil, genau)
Zuschlagskriterium — Zahl : 35
Beschreibung der anzuwendenden Methode, wenn die Gewichtung nicht durch Kriterien ausgedrückt werden kann :
Begründung, warum die Gewichtung der Zuschlagskriterien nicht angegeben wurde :

5.1.11 Auftragsunterlagen

Sprachen, in denen die Auftragsunterlagen offiziell verfügbar sind : Deutsch

5.1.12 Bedingungen für die Auftragsvergabe

Bedingungen für die Einreichung :
Elektronische Einreichung : Zulässig
Adresse für die Einreichung : https://vergabe.fraunhofer.de
Sprachen, in denen Angebote oder Teilnahmeanträge eingereicht werden können : Deutsch, Englisch
Elektronischer Katalog : Nicht zulässig
Varianten : Nicht zulässig
Die Bieter können mehrere Angebote einreichen : Zulässig
Frist für den Eingang der Teilnahmeanträge : 13/05/2025 13:00 +02:00
Informationen, die nach Ablauf der Einreichungsfrist ergänzt werden können :
Nach Ermessen des Käufers können alle fehlenden Bieterunterlagen nach Fristablauf nachgereicht werden.
Zusätzliche Informationen : Siehe Vergabeunterlagen
Auftragsbedingungen :
Die Auftragsausführung muss im Rahmen von Programmen für geschützte Beschäftigungsverhältnisse erfolgen : Nein
Bedingungen für die Ausführung des Auftrags : Bei evtl. Einsatz von Nachunternehmern sind diese zu benennen, ihre Eignung ist ebenfalls anhand der unter "Ausschreibungsbedingungen" aufgeführten Eignungskriterien nachzuweisen. Ferner ist zu bestätigen, dass sie im Auftragsfall zur Verfügung stehen; deren Anteil am Umfang des Auftragsgegenstandes ist darzulegen.
Elektronische Rechnungsstellung : Zulässig
Aufträge werden elektronisch erteilt : nein
Zahlungen werden elektronisch geleistet : nein

5.1.15 Techniken

Rahmenvereinbarung :
Keine Rahmenvereinbarung
Informationen über das dynamische Beschaffungssystem :
Kein dynamisches Beschaffungssystem

5.1.16 Weitere Informationen, Schlichtung und Nachprüfung

Überprüfungsstelle : Vergabekammern des Bundes -
Informationen über die Überprüfungsfristen : Ein Nachprüfungsantrag ist unzulässig, soweit mehr als 15 Kalendertage nach Eingang der Mitteilung des Auftraggebers, einer Rüge nicht abhelfen zu wollen, vergangen sind (§ 160 Abs. 3 Satz 1 Nr. 4 GWB). Ein Nachprüfungsantrag ist zudem unzulässig, wenn der Zuschlag erfolgt ist, bevor die Vergabekammer den Auftraggeber über den Antrag auf Nachprüfung informiert hat (§§ 168 Abs. 2 Satz 1, 169 Abs. 1 GWB). Die Zuschlagserteilung ist möglich 15 Kalendertage nach Absendung der Bieterinformation nach § 134 Abs. 1 GWB. Wird die Information auf elektronischem Weg oder per Fax versendet, verkürzt sich die Frist auf zehn Kalendertage (§ 134 Abs. 2 GWB). Die Frist beginnt am Tag nach der Absendung der Information durch den Auftraggeber; auf den Tag des Zugangs beim betroffenen Bieter und Bewerber kommt es nicht an. Die Zulässigkeit eines Nachprüfungsantrags setzt ferner voraus, dass die geltend gemachten Vergabeverstöße 10 Kalendertage nach Kenntnis gegenüber dem Auftraggeber gerügt wurden (§ 160 Abs. 3 Satz 1 Nr. 1 GWB). Verstöße gegen Vergabevorschriften, die aufgrund der Bekanntmachung erkennbar sind, müssen spätestens bis zum Ablauf der in der Bekanntmachung benannten Frist zur Bewerbung oder zur Angebotsabgabe gegenüber dem Auftraggeber gerügt werden (§ 160 Abs. 3 Satz 1 Nr. 2 GWB) . Verstöße gegen Vergabevorschriften, die erst in den Vergabeunterlagen erkennbar sind, müssen spätestens bis zum Ablauf der Frist zur Bewerbung oder zur Angebotsabgabe gegenüber dem Auftraggeber gerügt werden (§ 160 Abs. 3 Satz 1 Nr. 3 GWB).
Organisation, die zusätzliche Informationen über das Vergabeverfahren bereitstellt : Fraunhofer-Gesellschaft - Einkauf B12 -
Organisation, die weitere Informationen für die Nachprüfungsverfahren bereitstellt : Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. -

8. Organisationen

8.1 ORG-7001

Offizielle Bezeichnung : Fraunhofer-Gesellschaft - Einkauf B12
Registrierungsnummer : DE 129515865
Postanschrift : Hansastraße 27c
Stadt : München
Postleitzahl : 80686
Land, Gliederung (NUTS) : München, Kreisfreie Stadt ( DE212 )
Land : Deutschland
Kontaktperson : Einkauf Betrieb und Infrastruktur
Telefon : +49891205-0
Rollen dieser Organisation :
Beschaffer
Zentrale Beschaffungsstelle, die öffentliche Aufträge oder Rahmenvereinbarungen im Zusammenhang mit für andere Beschaffer bestimmten Bauleistungen, Lieferungen oder Dienstleistungen vergibt/abschließt
Organisation, die zusätzliche Informationen über das Vergabeverfahren bereitstellt

8.1 ORG-7004

Offizielle Bezeichnung : Vergabekammern des Bundes
Registrierungsnummer : t:022894990
Postanschrift : Kaiser-Friedrich-Straße 16
Stadt : Bonn
Postleitzahl : 53113
Land, Gliederung (NUTS) : Bonn, Kreisfreie Stadt ( DEA22 )
Land : Deutschland
Telefon : +49 228 9499-0
Rollen dieser Organisation :
Überprüfungsstelle

8.1 ORG-7005

Offizielle Bezeichnung : Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
Registrierungsnummer : DE-129515865
Postanschrift : Hansastraße 27c
Stadt : München
Postleitzahl : 80686
Land, Gliederung (NUTS) : München, Kreisfreie Stadt ( DE212 )
Land : Deutschland
Telefon : +49 89 1205-0
Internetadresse : https://www.fraunhofer.de
Rollen dieser Organisation :
Organisation, die weitere Informationen für die Nachprüfungsverfahren bereitstellt

8.1 ORG-7006

Offizielle Bezeichnung : Datenservice Öffentlicher Einkauf (in Verantwortung des Beschaffungsamts des BMI)
Registrierungsnummer : 0204:994-DOEVD-83
Stadt : Bonn
Postleitzahl : 53119
Land, Gliederung (NUTS) : Bonn, Kreisfreie Stadt ( DEA22 )
Land : Deutschland
Telefon : +49228996100
Rollen dieser Organisation :
TED eSender
Informationen zur Bekanntmachung
Kennung/Fassung der Bekanntmachung : a61e3a17-525d-4acd-89df-cb5117ff25f7 - 01
Formulartyp : Wettbewerb
Art der Bekanntmachung : Auftrags- oder Konzessionsbekanntmachung – Standardregelung
Datum der Übermittlung der Bekanntmachung : 11/04/2025 09:09 +02:00
Sprachen, in denen diese Bekanntmachung offiziell verfügbar ist : Deutsch Englisch
Veröffentlichungsnummer der Bekanntmachung : 00242337-2025
ABl. S – Nummer der Ausgabe : 73/2025
Datum der Veröffentlichung : 14/04/2025