Adquisición de un equipo de depósito de capas atómicas (ALD) de óxido de aluminio, óxido de titanio y óxido de hafnio

La capacidad actual de realizar depósitos de materiales dieléctricos en el instituto NTC a escala micro/nanométrica y nivel de oblea está limitada a técnicas de depósito químico en fase vapor (CVD). Se dispone de equipos de depósito químico de vapor mejorados con plasma cuales ofrecen películas delgadas dieléctricas amorfas. El …

CPV: 31712100 Microelectronic machinery and apparatus
Place of execution:
Adquisición de un equipo de depósito de capas atómicas (ALD) de óxido de aluminio, óxido de titanio y óxido de hafnio
Awarding body:
Rectorado de la Universitat Politècnica de València
Award number:
MY25/IUTNA/S/20

1. Comprador

1.1 Comprador

Denominación oficial : Rectorado de la Universitat Politècnica de València
Naturaleza jurídica del comprador : Organismo de Derecho público bajo el control de una autoridad regional
Actividad del poder adjudicador : Educación

2. Procedimiento

2.1 Procedimiento

Título : Adquisición de un equipo de depósito de capas atómicas (ALD) de óxido de aluminio, óxido de titanio y óxido de hafnio
Descripción : La capacidad actual de realizar depósitos de materiales dieléctricos en el instituto NTC a escala micro/nanométrica y nivel de oblea está limitada a técnicas de depósito químico en fase vapor (CVD). Se dispone de equipos de depósito químico de vapor mejorados con plasma cuales ofrecen películas delgadas dieléctricas amorfas. El proceso ALD consiste en el crecimiento de una película delgada por capas atómicas consecutivas. El hecho de disponer de un equipo ALD que además de aumentar la capacidad de fabricación, ofrecerá uniformidad y conformidad de la película en cualquier escala y tendría un claro impacto sobre la calidad de la investigación realizada al igual que sobre las capacidades ofertadas por el Instituto NTC sería muy alto. ALD es la técnica más avanzada en recubrimiento de película delgada debido al control preciso del espesor de película (nm) que ofrece. Las películas producidas por esta técnica son densas, sin poros y sin defectos, y las condiciones en las que se lleva a cabo el proceso, 1-10 hPa 200-400ºC, son lo suficientemente suaves para ser utilizada con sustratos sensibles. Este tipo de proceso es fundamental también a la hora de trabajar con clientes externos y suministrar controles de calidad y especificaciones técnicas de los dispositivos fabricados. A medida que la industria de los semiconductores sigue evolucionando, el tamaño cada vez más fino de los dispositivos hace que sea especialmente importante encontrar o desarrollar técnicas más avanzadas de crecimiento de películas finas que requieran baja temperatura, una gran precisión en el espesor de la película y una excelente conformabilidad en estructuras tridimensionales (3D). Por tanto, este centro carece de equipamiento necesario que permita asegurar la calidad y cumplimiento de especificaciones a nivel nanométrico durante el proceso de fabricación. Para suplir estas carencias, se solicita la adquisición de un equipo de depósito de capas atómicas de varios óxidos.
Identificador del procedimiento : 23a21af2-493b-4980-9b67-5311d65bb0ba
Anuncio anterior : b3157320-ec68-4a59-8f59-fc10902c98d6-01
Identificador interno : MY25/IUTNA/S/20
Tipo de procedimiento : Abierto

2.1.1 Finalidad

Naturaleza del contrato : Suministros
Clasificación principal ( cpv ): 31712100 Maquinaria y aparatos microelectrónicos

2.1.2 Lugar de ejecución

Subdivisión del país (NUTS) : Valencia / València ( ES523 )
País : España

2.1.4 Información general

Base jurídica :
Directiva 2014/24/UE

5. Lote

5.1 Identificación técnica del lote : LOT-0000

Título : Adquisición de un equipo de depósito de capas atómicas (ALD) de óxido de aluminio, óxido de titanio y óxido de hafnio
Descripción : La capacidad actual de realizar depósitos de materiales dieléctricos en el instituto NTC a escala micro/nanométrica y nivel de oblea está limitada a técnicas de depósito químico en fase vapor (CVD). Se dispone de equipos de depósito químico de vapor mejorados con plasma cuales ofrecen películas delgadas dieléctricas amorfas. El proceso ALD consiste en el crecimiento de una película delgada por capas atómicas consecutivas. El hecho de disponer de un equipo ALD que además de aumentar la capacidad de fabricación, ofrecerá uniformidad y conformidad de la película en cualquier escala y tendría un claro impacto sobre la calidad de la investigación realizada al igual que sobre las capacidades ofertadas por el Instituto NTC sería muy alto. ALD es la técnica más avanzada en recubrimiento de película delgada debido al control preciso del espesor de película (nm) que ofrece. Las películas producidas por esta técnica son densas, sin poros y sin defectos, y las condiciones en las que se lleva a cabo el proceso, 1-10 hPa 200-400ºC, son lo suficientemente suaves para ser utilizada con sustratos sensibles. Este tipo de proceso es fundamental también a la hora de trabajar con clientes externos y suministrar controles de calidad y especificaciones técnicas de los dispositivos fabricados. A medida que la industria de los semiconductores sigue evolucionando, el tamaño cada vez más fino de los dispositivos hace que sea especialmente importante encontrar o desarrollar técnicas más avanzadas de crecimiento de películas finas que requieran baja temperatura, una gran precisión en el espesor de la película y una excelente conformabilidad en estructuras tridimensionales (3D). Por tanto, este centro carece de equipamiento necesario que permita asegurar la calidad y cumplimiento de especificaciones a nivel nanométrico durante el proceso de fabricación. Para suplir estas carencias, se solicita la adquisición de un equipo de depósito de capas atómicas de varios óxidos.
Identificador interno : MY25/IUTNA/S/20

5.1.1 Finalidad

Naturaleza del contrato : Suministros
Clasificación principal ( cpv ): 31712100 Maquinaria y aparatos microelectrónicos

5.1.2 Lugar de ejecución

Subdivisión del país (NUTS) : Valencia / València ( ES523 )
País : España
Información complementaria :

5.1.6 Información general

Proyecto de contratación pública financiado total o parcialmente con fondos de la UE
La contratación pública está cubierta por el Acuerdo sobre Contratación Pública (ACP) : no

5.1.7 Contratación estratégica

Objetivo de la contratación estratégica : Ninguna contratación estratégica
Enfoque para reducir el impacto ambiental : Otros
Objetivo social promovido : Otros

5.1.10 Criterios de adjudicación

Criterio :
Tipo : Calidad
Descripción : Características técnicas adicionales.
Categoría del criterio de adjudicación de umbral : Ponderación (puntos, exacto)
Criterio de adjudicación: número : 40
Criterio :
Tipo : Precio
Descripción : Oferta económica.
Categoría del criterio de adjudicación de umbral : Ponderación (puntos, exacto)
Criterio de adjudicación: número : 60

5.1.15 Técnicas

Acuerdo marco :
Ningún acuerdo marco
Información sobre el sistema dinámico de adquisición :
Ningún sistema dinámico de adquisición

5.1.16 Información adicional, mediación y recurso

Organización encargada de los procedimientos de recurso : Rectorado de la Universitat Politècnica de València - Universitat Politècnica de València
Información sobre los plazos de revisión : hasta 2025-06-20+02:00

6. Resultados

Valor de todos los contratos adjudicados en este aviso : 419 710 Euro

6.1 Resultados: identificador de lotes : LOT-0000

Se ha escogido al menos un ganador.

6.1.2 Información de los ganadores

Ganador :
Denominación oficial : Izasa Scientific S.L.U.
Oferta :
Identificador de la oferta : REF TEN-0001/LOT-0000
Identificador del lote o el grupo de lotes : LOT-0000
Valor de la licitación : 419 710 Euro
La oferta se ha posicionado : no
Subcontratación : No
Información del contrato :
Identificador del contrato : MY25/IUTNA/S/20
Fecha de elección del ganador : 30/07/2025
Fecha de celebración del contrato : 10/09/2025

6.1.4 Información estadística

Ofertas o solicitudes de participación recibidas :
Tipo de presentaciones recibidas : Ofertas de licitadores que son microempresas, pequeñas o medianas empresas
Número de ofertas o solicitudes de participación recibidas : 1
Tipo de presentaciones recibidas : Ofertas
Número de ofertas o solicitudes de participación recibidas : 2
Gama de ofertas :
Valor de la oferta más baja admisible : 419 710 Euro
Valor de la oferta más alta admisible : 420 000 Euro

8. Organizaciones

8.1 ORG-0001

Denominación oficial : Rectorado de la Universitat Politècnica de València
Número de registro : 40000260000071
Número de registro : Q4618002B
Localidad : Valencia
Código postal : 46022
Subdivisión del país (NUTS) : Valencia / València ( ES523 )
País : España
Punto de contacto : Rectorado de la Universitat Politècnica de València
Correo electrónico : contratacion@upv.es
Teléfono : 963877406
Dirección de internet : http://www.upv.es
Otros puntos de contacto :
Denominación oficial : Universitat Politècnica de València
Localidad : Valencia
Código postal : 46022
Subdivisión del país (NUTS) : Valencia / València ( ES523 )
País : España
Dirección de internet : http://www.upv.es/entidades/CYO/
Funciones de esta organización :
Comprador
Organización encargada de los procedimientos de recurso

8.1 ORG-0002

Denominación oficial : Izasa Scientific S.L.U.
Tamaño del operador económico : Gran empresa
Número de registro : B66350281
Localidad : Sant Cugat del Vallès
Código postal : 08174
Subdivisión del país (NUTS) : Barcelona ( ES511 )
País : España
Teléfono : +34 900800952
Funciones de esta organización :
Licitador
Propietario beneficiario
Nacionalidad del titular : España
Ganador de estos lotes : LOT-0000

Información del anuncio

Identificador/versión del anuncio : 4a5b3afc-8b90-4926-adc6-533bbccf6201 - 01
Tipo de formulario : Resultados
Tipo de anuncio : Anuncio de adjudicación de contrato o concesión. Régimen normal
Fecha de envío del anuncio : 11/09/2025 09:36 +02:00
Lenguas en las que este anuncio está disponible oficialmente : español
Número de publicación del anuncio : 00597377-2025
Número de la edición del DO S : 175/2025
Fecha de publicación : 12/09/2025