Entwicklung und der Fertigung zweier schneller Halbleiter-Gapschalter auf Basis von Siliziumcarbid-Technologie (SiC), Ihr Einsatzgebiet ist das Kurzschließen von Hochfrequenzkavitäten in den Synchrotron- und Speicherringen bei GSI und FAIR für die Impedanzreduktion während des Strahlbetriebs mit hohen Intensitäten Schrittweise Entwicklung des Schalters und fertigung zweier Prototypen gemäß Spezifikation. Der vorgeschlagene Terminplan …

Según se indica en la memoria justificativa de las especificaciones técnicas, en la memoria justificativa de la necesidad de contratar, y en el pliego de prescripciones técnicas. Según se indica en la memoria justificativa de las especificaciones técnicas, en la memoria justificativa de la necesidad de contratar, y en el …

Acquisition, livraison, installation et mise en service d’un système de séchage par CO2 à l’état supercritique pour la réalisation des composants micro-nanoélectroniques du type MEMS/NEMS pour le laboratoire IEMN Acquisition, livraison, installation et mise en service d’un système de séchage par CO2 à l’état supercritique pour la réalisation des composants …

Echipamente de calcul pentru infrastructura AI - conform caietelor de sarcini. Nota: Numarul de zile pana la care se pot solicita clarificari inainte de data limita de depunere a ofertelor/candidaturilor este de 18 zile. Termenul limita pana la care autoritatea contractanta va raspunde in mod clar si complet tuturor solicitarilor …

Gegenstand dieses Verfahrens ist die Lieferung und Aufstellung ein vollautomatischen 200-mm-Wafer-Probers. Der Wafer Prober muss für den Dauerbetrieb ausgelegt sein und sollte über fortschrittliche Funktionen für die Handhabung von Wafern und Kassetten verfügen, um mehrere Wafer aufzunehmen und so den Durchsatz erheblich zu steigern. Diese Prüfstation muss für die Charakterisierung …