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Entwicklung SiC-Gapschalter

Entwicklung und der Fertigung zweier schneller Halbleiter-Gapschalter auf Basis von Siliziumcarbid-Technologie (SiC), Ihr Einsatzgebiet ist das Kurzschließen von Hochfrequenzkavitäten in den Synchrotron- und Speicherringen bei GSI und FAIR für die Impedanzreduktion während des Strahlbetriebs mit hohen Intensitäten Schrittweise Entwicklung des Schalters und fertigung zweier Prototypen gemäß Spezifikation. Der vorgeschlagene Terminplan …

CPV: 31214100 Spínače, 31712000 Mikroelektronické stroje a prístroje a mikrosystémy, 31712117 Balíky integrovaných obvodov
Miesto vykonania:
Entwicklung SiC-Gapschalter
Udeľujúci orgán:
GSI Helmholtzzentrum für Schwerionenforschung GmbH
Číslo udelenia:
27/2600019438
Publikácia:
26. júl 2025 9:07
Niederspannungsverteilungen in Ortsnetzstationen (NSV-ONS)

Präqualifikationsverfahren für die Lieferung von Niederspannungsverteilungen für Ortnetzverteilstationen (NSV-ONS) auf Grundlage der technischen Spezifikation der Thüga Aktiengesellschaft. Anforderungen, die die Wirtschaftsteilnehmer im Hinblick auf ihre Qualifikation erfüllen müssen: - Beantworten von Lieferantenfragen in der Lieferantendatenbank - Einhaltung der Technischen Spezifikation - Bestehen der Produktprüfung - Bestehen des Werksaudits - Bestehen …

CPV: 31712117 Balíky integrovaných obvodov
Miesto vykonania:
Niederspannungsverteilungen in Ortsnetzstationen (NSV-ONS)
Udeľujúci orgán:
Thüga Aktiengesellschaft
Číslo udelenia:
THA-2025-NSV-ONS
Publikácia:
19. júl 2025 8:29