Jūsu meklēšana pēc Integrālās shēmas
Atrasto brīdinājumu skaits: 2

Entwicklung SiC-Gapschalter

Entwicklung und der Fertigung zweier schneller Halbleiter-Gapschalter auf Basis von Siliziumcarbid-Technologie (SiC), Ihr Einsatzgebiet ist das Kurzschließen von Hochfrequenzkavitäten in den Synchrotron- und Speicherringen bei GSI und FAIR für die Impedanzreduktion während des Strahlbetriebs mit hohen Intensitäten Schrittweise Entwicklung des Schalters und fertigung zweier Prototypen gemäß Spezifikation. Der vorgeschlagene Terminplan …

CPV: 31214100 Slēdži, 31712000 Mikroelektronikas ierīces un aparāti un mikrosistēmas, 31712117 Integrālās shēmas
Izpildes vieta:
Entwicklung SiC-Gapschalter
Piešķīrēja iestāde:
GSI Helmholtzzentrum für Schwerionenforschung GmbH
Piešķīruma numurs:
27/2600019438
Publikācija:
2025. gada 26. jūlijs, 09:07
Niederspannungsverteilungen in Ortsnetzstationen (NSV-ONS)

Präqualifikationsverfahren für die Lieferung von Niederspannungsverteilungen für Ortnetzverteilstationen (NSV-ONS) auf Grundlage der technischen Spezifikation der Thüga Aktiengesellschaft. Anforderungen, die die Wirtschaftsteilnehmer im Hinblick auf ihre Qualifikation erfüllen müssen: - Beantworten von Lieferantenfragen in der Lieferantendatenbank - Einhaltung der Technischen Spezifikation - Bestehen der Produktprüfung - Bestehen des Werksaudits - Bestehen …

CPV: 31712117 Integrālās shēmas
Izpildes vieta:
Niederspannungsverteilungen in Ortsnetzstationen (NSV-ONS)
Piešķīrēja iestāde:
Thüga Aktiengesellschaft
Piešķīruma numurs:
THA-2025-NSV-ONS
Publikācija:
2025. gada 19. jūlijs, 08:29